紫外納米芯片光刻系統(tǒng)，本機(jī)統(tǒng)針對(duì)各大專(zhuān)院校、企業(yè)及科研單位，對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。

 公司產(chǎn)品涵蓋金屬材料檢測(cè)與非金屬材料檢測(cè)，品種達(dá)一百多個(gè)。土木工程類(lèi)高校用到的：大型多功能結(jié)構(gòu)試驗(yàn)系統(tǒng)、巖土工程試驗(yàn)系統(tǒng)、自平衡反力架、力學(xué)模型試驗(yàn)系統(tǒng)、電液伺服疲勞系統(tǒng)、高溫高壓應(yīng)力腐蝕試驗(yàn)系統(tǒng)、千斤頂檢定裝置等。

一、紫外納米芯片光刻系統(tǒng)主要用途

⒈ 本機(jī)針對(duì)各大專(zhuān)院校、企業(yè)及科研單位，對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。

⒉ 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn)，找平力小、使本機(jī)不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本機(jī)為單面對(duì)準(zhǔn)、單面曝光。

二、技術(shù)參數(shù)

1.曝光時(shí)間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)；
2.365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán)；
3.聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過(guò)設(shè)定指標(biāo)；
4.有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角:<1.84度；
6.波長(zhǎng)濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源

12.主要配置：6“，8"光源系統(tǒng)，
13.手動(dòng)系統(tǒng)，半自動(dòng)系統(tǒng)。
14..CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
15.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
16.支持背后對(duì)準(zhǔn)及MEMS工藝要求。
17.主要性能指標(biāo)：光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。區(qū)域，--<±2% over 4"區(qū)域，--<±3% over 6"區(qū)域。

三、主要構(gòu)成：主要由高精度對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)、雙目分離視場(chǎng)顯微鏡顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無(wú)油真空泵、防震工作臺(tái)和附件等組成。

四、主要功能特點(diǎn)

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對(duì)準(zhǔn)曝光。

2.結(jié)構(gòu)先進(jìn)：具有半球式找平機(jī)構(gòu)和可實(shí)現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)。

3.操作簡(jiǎn)便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實(shí)現(xiàn)真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調(diào)試、維護(hù)、修理都非常簡(jiǎn)便。

4.特設(shè)“碎片"處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開(kāi)所引起的版片無(wú)法對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。